资讯信息
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08-27
20222英寸二硒化钼（2 inch MoSe2）
2英寸二硒化钼（2 inch MoSe2）2英寸CVD MoSe2薄膜在学术研究与应用转化中具有承上启下的作用。其尺寸大于常规小样品，能满足器件阵列制备与性能统计需求，同时工艺可控性较好，便于研究者探索MoSe2的物理特性及其在不同应用中的表现。在CVD合成中，通过优化升温速率、气流动力学以及Mo/Se前驱体 -
08-27
2022CVD二硒化钨薄膜（CVD WSe2：孤立晶粒、单层/多层连续薄膜）
CVD二硒化钨薄膜（CVD WSe2：孤立晶粒、单层/多层连续薄膜）二硒化钨（WSe2）是一种重要的TMDs材料，因其单层直接带隙约1.6 eV，具备优异的光致发光和电学特性，被认为是光电与电子器件的理想候选。CVD方法能够在不同条件下合成孤立晶粒、单层连续薄膜或多层薄膜，从而实现材料在基础研究与应用之间的自 -
08-27
20224英寸二硒化钨薄膜（4 inch WSe2）
4英寸二硒化钨薄膜（4 inch WSe2）4英寸CVD WSe2薄膜的制备是二维材料产业化的重要进展。其大面积与高均匀性能够满足半导体器件产业对标准晶圆的需求。由于WSe2在单层时具有直接带隙特性，能够高效吸收和发射可见光，因此4英寸WSe2薄膜在光电通信、柔性显示以及集成光电器件中具有突出应用前景。在CV -
08-27
2022CVD二硫化钼薄膜（CVD MoS2）
CVD二硫化钼薄膜（CVD MoS2）二硫化钼（MoS2）是一类典型的过渡金属硫族化合物（TMDs），以其独特的层状结构和优异的电子、光学特性在新一代电子器件、光电探测器、传感器以及能源转换领域中具有重要应用价值。采用化学气相沉积（CVD, Chemical Vapor Deposition）方法制备的MoS -
08-27
20224英寸MoS2薄膜（4 inch MoS2）
4英寸MoS2薄膜（4 inch MoS2）4英寸CVD MoS2薄膜是实现规模化应用的重要一步，其尺寸适配半导体工业的标准晶圆规格，可与现有硅基工艺兼容，推动二维材料从实验室走向产业化。相比小尺寸样品，4英寸MoS2薄膜要求更高的均匀性与一致性，因此CVD制备工艺需要优化温度场分布、气体流场以及反应物供给方 -
08-27
20222英寸MoS2薄膜（2 inch MoS2）
2英寸MoS2薄膜（2 inch MoS2）2英寸MoS2薄膜是科研与产业之间的重要过渡尺寸，兼具实验可行性与应用潜力。通过CVD工艺在2英寸衬底上生长的MoS2薄膜，能够保证较高的单晶区覆盖率和可控层数，从而满足电子学和光电子学实验中对材料均匀性和可重复性的需求。相比于机械剥离的小片材料，2英寸薄膜可以更方 -
08-27
2022CVD二硫化钨薄膜（CVD WS2）
CVD二硫化钨薄膜（CVD WS2）二硫化钨（WS2）同样属于过渡金属硫族化合物，与MoS2类似，具有层状结构和可调带隙特性。CVD方法制备的WS2薄膜因其高质量和大面积连续性，在电子与光电子领域受到广泛关注。WS2在单层状态下表现为直接带隙半导体（约2.0 eV），适合应用于光电探测器和发光器件；在多层状态 -
08-27
20224英寸二硫化钨薄膜（4 inch WS2）
4英寸二硫化钨薄膜（4 inch WS2）4英寸CVD WS2薄膜代表了二维硫族化合物向大规模应用迈进的重要方向。其大尺寸制备对工艺控制提出了更高要求，需要优化气流分布、前驱体蒸发速率和温度均匀性，确保整个4英寸衬底上的薄膜在厚度、晶体取向及性能上的一致性。4英寸WS2薄膜在光电性能上表现优异，单层WS2具有 -
08-22
2022ICG-Glycogen，吲哚菁绿标记糖原，Indocyanine Green-Labeled Glycogen
ICG-Glycogen中文名称：吲哚菁绿标记糖原英文名称：Indocyanine Green-Labeled Glycogen (ICG-Glycogen)介绍：ICG-Glycogen 是通过将 ICG 荧光染料标记到糖原（Glycogen）分子上的复合物。糖原是一种动物和人体内常见的多支链葡萄糖聚合物， -
08-22
2022ICG-Difucosyllactose，吲哚菁绿标记乳糖-二岩藻四糖
ICG-Difucosyllactose中文名称：吲哚菁绿标记乳糖-二岩藻四糖英文名称：Indocyanine Green-Labeled Difucosyllactose (ICG-Difucosyllactose)介绍：ICG-Difucosyllactose 是通过化学方法将近红外荧光染料吲哚菁绿（IC
