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CVD二硒化钨薄膜(CVD WSe2:孤立晶粒、单层/多层连续薄膜)

文章来源 : 齐岳生物

作者:小编zhn

发布时间 : 2025-08-27 18:44:37

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产品名称:CVD二硒化钨薄膜(CVD WSe2:孤立晶粒、单层/多层连续薄膜)

产品描述:

CVD二硒化钨薄膜(CVD WSe2:孤立晶粒、单层/多层连续薄膜)

二硒化钨(WSe2)是一种重要的TMDs材料,因其单层直接带隙约1.6 eV,具备优异的光致发光和电学特性,被认为是光电与电子器件的理想候选。CVD方法能够在不同条件下合成孤立晶粒、单层连续薄膜或多层薄膜,从而实现材料在基础研究与应用之间的自由切换。

CVD WSe2通常使用WO3或WCl6作为钨源,以Se粉或H2Se作为硒源,在高温下沉积于蓝宝石或SiO2/Si衬底。通过调控反应条件,可以得到大面积单晶域的孤立WSe2晶粒,用于研究晶体生长机理和器件制备;进一步优化反应气氛和升温条件,可以获得单层连续薄膜,展现均匀的带隙和优良的光电性能;若延长反应时间或提高前驱体供给量,则可合成多层连续薄膜,用于功率电子器件和电化学应用。

CVD WSe2在光电探测器、发光二极管、隧穿器件和柔性电子中均有应用。孤立晶粒适合研究缺陷和边界效应,而单层与多层连续薄膜更适合大面积器件的构建。随着工艺优化,CVD WSe2在晶圆级应用中展现出巨大潜力。 

产地:西安齐岳生物

用途:科研

以上资料由西安齐岳生物小编zhn提供,仅用于科研  


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